ロームは、SiCショットキー・バリアー・ダイオード（SBD）を内蔵した＋650V耐圧のIGBTを3製品発売した ニュースリリース 。内蔵したSiC SBDはIGBTの還流ダイオードとして機能する。一般的なIGBTは、Siファスト・リカバリー・ダイオード（FRD）を内蔵している。同社によると、「Si FRDをSiC SBDに置き換えることで、ターンオン時に発生するスイッチング損失を大幅に削減できる」という。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠する。具体的な応用先は、電気自動車（EV）に搭載するオンボードチャージャー（車載充電器）や車載用DC-DCコンバーター、車載電装機器のほか、太陽光発電向けパワーコンディショナー、産業機器などである。
新製品を、Si FRDを内蔵した従来のIGBTの代わりに車載充電器に適用すれば電力損失を67％低減できるとする。同じ耐圧ではIGBTよりも電力損失が少ないスーパージャンクション（SJ）型パワーMOSFET（ダイオードはチップに集積されている）と比較しても、SiC SBDを採用した効果で電力損失を24％減らせるという。
さらにSiC SBDを内蔵したことで、IGBTを使っても高いスイッチング周波数で駆動できるようになる。車載充電器のスイッチング周波数が20k〜100kHzの範囲において、97％を超える変換効率が得られるためだ。100kHzのスイッチング周波数では、従来のIGBTと比較すると変換効率を約3ポイント、SJ型パワーMOSFETと比べると約0.8ポイント高められるとする。
最大コレクター電流の違いで3製品を用意した。最大30Aの「RGW60TS65CHR」と、最大40Aの「RGW80TS65CHR」、最大50Aの「RGW00TS65CHR」である。IGBTのコレクター-エミッター間飽和電圧（VCE（sat））は、3製品いずれも＋1.5V（標準値）。パッケージは、挿入実装型のTO-247N。現在サンプル出荷中である。サンプル価格は1320円（税込み）。量産は2021年12月に月産2万個の規模で開始する予定。
このほか、表面実装が可能なTO-263L（LPDL）パッケージに封止した製品を開発中である。新製品と開発品の主な仕様は下表の通り。
